半導体業界ウィークリーニュース 2026年7月第4週

【市場・統計】世界半導体市場、2026年に史上初の1兆ドル超え確実へ ― WSTSが大幅上方修正

世界半導体市場統計（WSTS）は2026年6月2日、春季予測を発表しました。それによると、2026年の世界半導体市場は前年比89.9%増の約1兆5,112億ドルに達する見込みで、これまで2030年頃とされていた1兆ドル突破が4年前倒しで実現することになります。
特にメモリが前年比約2.5倍と急成長を牽引しており、AIサーバー向けHBMや汎用DRAM、SSD需要の急増による供給制約と価格高騰が市場拡大を後押ししているとされます。
出典：JETRO ビジネス短信（WSTS 2026年春季予測） ／ EE Times Japan（2026年6月4日）

【製造装置市場】SEMIが2026年の世界装置市場を前年比23%増・約1,659億ドルと予測

業界団体SEMIは7月14日、「中間年度 半導体製造装置市場予測（OEM視点）」を発表しました。2026年の世界半導体製造装置の販売高は過去最高の約1,659億ドルに達し、前年比23.2%増となる見通しです。さらに成長は続き、2028年には2,295億ドルと過去最高を更新し、5年連続の成長となる見通しとされています。
成長を牽引するのはAI向け先端ロジック・HBM・先端パッケージングへの旺盛な投資とされます。ウェーハ加工装置が最大セグメントを形成し、2026年の支出額は約1,439億ドルに達すると見られています。
出典：SEMI 公式プレスリリース（2026年7月14日）

【製造装置市場・日本】SEAJ、日本製装置販売高予測を大幅上方修正 ― 2026年度は前年度比26%増

日本半導体製造装置協会（SEAJ）は7月2日、2026〜2028年度の需要予測を発表しました。2026年度の日本製装置販売高はAIサーバー向け先端ロジックの旺盛な投資とHBM中心のDRAM投資の大幅増加により、前年度比26%増の6兆5,502億円と予測されています。
2027年度は13%増の7兆4,017億円、2028年度も5%増の7兆7,718億円と高水準な投資継続が見込まれます。国内市場においても2028年度に初の2兆円突破が見込まれており、これはSEAJとして初めてのことです。
出典：SEAJ 2026年7月 需要予測（PDF） ／ マイナビニュース TECH+（2026年7月3日）

【企業業績】TSMC、Q2 2026は過去最高益 ― 純利益77%増、アリゾナへ追加1,000億ドル投資も発表

TSMCは7月16日、2026年第2四半期決算を発表しました。売上高は前年同期比36%増の約402億ドルと四半期最高を記録し、純利益は77.4%増で5四半期連続の最高益更新となりました。粗利益率67.7%・営業利益率60.3%もいずれも過去最高を記録しています。
同社CEO・C.C.ウェイ氏はQ2の決算発表と同時に、アリゾナ州への追加1,000億ドル投資計画を明らかにしました。これにより米国への総投資額は2,650億ドルに達し、2nm以下の先端ファブ4棟以上と先端パッケージング施設が新設される見通しです。また2026年通期の設備投資ガイダンスは従来の520〜560億ドルから600〜640億ドルへと大幅に引き上げられました。
出典：Yahoo Finance（TSMC Q2 2026 earnings） ／ フェニックス市（2026年7月16日）

【企業業績】ASML、Q2 2026決算で通期ガイダンスを大幅引き上げ ― High-NA EUV量産適用も追い風

オランダのASMLは7月15日、2026年第2四半期の決算を発表しました。Q2売上高は93億ユーロ、純利益は29億ユーロで、いずれも同社ガイダンスを上回りました。EUVシステム販売や設置済みベース管理（IBMサービス）が予想を約3億ユーロ超過し、株価は発表後に約3%上昇したと報じられています。
通期2026年の売上高ガイダンスは従来の360〜400億ユーロから430〜450億ユーロへと引き上げられ、最大38%の前年比成長を見込みます。また同社は2027年向けに低NA EUVの生産能力を約30%増強する計画も明らかにしており、中期的な需要可視性が向上しているとしています。
出典：IndexBox（2026年7月） ／ Investing.com（2026年7月15日）

【プロセス技術】Intel、High-NA EUVを量産ロジックに世界初適用 ― 18AノードのPanther Lakeへ

ASMLは7月15日、Intelファウンドリーが同社のHigh-NA EUV露光装置（EXEシリーズ）をIntel 18Aプロセスノードの量産ラインに適用したと発表しました。対象はCore Ultra Series 3（開発コード名：Panther Lake）の一部プロセッサの特定レイヤーで、Intelは世界で初めてHigh-NA EUVを用いた量産ロジック製品を出荷した企業となります。
ASMLによると、同レイヤーはオレゴン州のファブでNXEプラットフォーム同等の歩留まりにデュアル適格化されており、製品はすでに顧客への出荷が始まっているとされています。今後のより広範な採用に向けたシステム最適化データ収集が目的の一つとも説明されており、将来の先端ノードへの全面展開は段階的に進む見通しです。
出典：ASML公式 GlobeNewswire（2026年7月15日） ／ Tom’s Hardware

【材料・サプライチェーン】中国がヘリウム輸出を一時禁止 ― 半導体サプライチェーンに新たなリスク

中国商務省と海関総署は7月10日、ヘリウムの輸出を一時的に禁止すると発表し、同日付で即日発効しました。ヘリウムは半導体製造工程やEUVプロセスにおける冷却・ガスパージに不可欠な希少ガスです。中国当局は中東情勢の悪化による調達難を背景に、国内向けの供給確保を優先したものとみられると、複数のメディアが報じています。
業界関係者の間では、3月のカタール・ラスラファン施設への影響、4月のロシア規制措置に続く「三重ショック」として懸念が広がっています。禁輸の期間については現時点で明示されておらず、韓国・台湾など依存度の高い地域での影響を注視する必要があります。日本は米国・カタール依存の多角化構造により比較的優位とされる一方、世界のスポット価格上昇は不可避との見方もあります。
出典：マイナビニュース TECH+（2026年7月13日） ／ 日本経済新聞（2026年7月10日）

【NANDメモリ】キオクシア、332層の第10世代BiCS FLASHのサンプル出荷を開始

キオクシアは7月3日、第10世代BiCS FLASH（BiCS10）のサンプル出荷を開始したと発表しました。第8世代（218層）から一気に332層へと積層数を増やし、ビット密度は前世代比59%向上、読み出し時の電力効率は30%改善されているとされています。製品は岩手県北上市の北上工場第2製造棟で生産されます。
同社はデータセンター・AIインフラ向けに最適化したCBA（CMOS directly Bonded to Array）構造を採用し、「過度な高積層化には課題もある」として積層数と平面方向の微細化を最適バランスで組み合わせた現実路線で開発を進めてきたとしています。今後の量産本格化に向けた重要な一歩とみられます。
出典：エルミタージュ秋葉原（2026年7月3日） ／ EE Times Japan（2026年6月4日）

【地政学・政策】日本・ADEKA、半導体材料の新研究棟を本格稼働 ― 国内材料開発基盤の強化続く

化学メーカーのADEKAは7月2日、埼玉県久喜市のADEKAテクノロジーセンターに建設した新研究棟「半導体イノベーションセンター」の本格稼働を発表しました。旧テクノロジーセンター東京の半導体材料開発研究所と環境材料開発研究所を統合・集約したもので、先端半導体向け材料の研究開発体制を強化するとしています。
また京セラは7月1日、長崎諫早工場（第1工場）を2026年9月に開設すると発表しています。2028年度までに約680億円を投じてファインセラミック部品・半導体パッケージを生産する計画で、2030年度以降は年間250億円規模の生産が見込まれています。
出典：半導体業界ドットコム（2026年7月）