半導体製造プロセス(1)
前工程(FEOL, BEOL)
前工程は素子形成を行うFEOLと、配線形成を行うBEOL工程に大きく分けられます。
FEOL
FEOLでは、ウエハ上に素子を形成します。
一例として、CMOS-ICでは以下のような工程になります。
| 1. p型シリコンウエハ上に酸化膜と窒化膜を成膜 | 熱酸化装置、CVD装置 |
| 2. レジスト塗布、露光、現像（フォトリソ工程） | 露光装置、現像装置 |
| 3. レジスト剥離後、エッチング | ドライエッチング装置 |
| 4. 酸化膜成膜 | CVD装置 |
| 5. 平坦化 | CMP装置 |
| 6. 窒化膜除去 | エッチング装置 |
| 7. フォトリソ後、nウェル形成 | イオン注入装置 |
| 8. レジスト剥離後、ゲート酸化 | CVD装置 |
| 9. ポリシリコン成長 | CVD装置 |
| 10. フォトリソ後、ゲート電極形成、イオン注入(n,p) | イオン注入装置 |
| 11. 異方性エッチング | ドライエッチング装置 |
| 12. イオン注入(n+, p+) | イオン注入装置 |
| 13. 酸処理、ニッケルシリサイド(NiSi2)形成 | スパッタリング装置 |
| 14. Niエッチング | ウエットエッチング装置 |
| 15. 全面SiO2成膜、平坦化 | CVD装置、CMP装置 |
BEOL
BEOLでは以下の工程で配線形成を行います。
| 16. コンタクトホール開孔 | ドライエッチング装置 |
| 17. タングステンプラグ形成、平坦化 | W-CVD装置、CMP装置 |
| 18. 絶縁膜成膜 | CVD装置 |
| 19. フォトリソ後、絶縁膜エッチング、銅配線 | ドライエッチング装置、めっき装置 |
| 20. 平坦化（シングルダマシン ） | CMP装置 |
| 21. 層間絶縁膜(ILD)形成、配線、ビア形成、銅配線 | CVD装置、ドライエッチング装置、めっき装置 |
| 22. 平坦化（デュアルダマシン ） | CMP装置 |
| 23. シリコン窒化酸化膜（SiON）形成 | CVD装置 |
参考情報
https://ja.wikipedia.org/wiki/基板工程
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http://jaco.ec.t.kanazawa-u.ac.jp/edu/micro1/
jaco.ec.t.kanazawa-u.ac.jp
