材料 銅配線バリアメタル〜Ta/TiNからRu・Moへ、2nm以降の微細配線を支える材料革命
銅配線バリアメタルはTa/TaNから次世代材料のRu（ルテニウム）・Mo（モリブデン）へと移行しています。2nm以降の微細配線技術を支える材料革命をエンジニア視点で解説します。
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材料 熱界面材料（TIM）〜AI半導体・高性能パッケージの熱管理を担う放熱材料の最新動向
熱界面材料（TIM）は、AIサーバーGPUや高性能CPUの熱管理に不可欠な放熱材料です。液体金属TIM・フェーズチェンジ材料など種類・特性・市場動向を詳しく解説します。
材料 GaN基板・エピウエハ〜RF・パワー用途で急拡大する化合物半導体材料の最前線
GaN（窒化ガリウム）基板・エピウエハは、5G基地局・EV・急速充電器向けで急拡大する化合物半導体材料です。RF用とパワー用の違い、市場動向、主要メーカーをわかりやすく解説します。
ニュース 半導体業界ウィークリーニュース 2026年7月第4週
【市場・統計】世界半導体市場、2026年に史上初の1兆ドル超え確実へ ― WSTSが大幅上方修正世界半導体市場統計（WSTS）は2026年6月2日、春季予測を発表しました。それによると、2026年の世界半導体市場は前年比89.9%増の約1兆...
プロセス サブ1nm時代のトランジスタ微細化最前線：imecロードマップとムーアの法則の行方
FinFETからGAA、Forksheet、CFETへ——2nm以降のトランジスタ構造の変遷とプロセス技術の課題を解説。imecの最新ロードマップをベースに、IBMのナノスタック、2D材料、High-NA EUVまで、アングストローム時代の半導体微細化技術を網羅します。
情報 ラピダス（Rapidus）とは？2nm半導体の国産化に向けた進捗・支援・課題まとめ
日本の半導体産業復権を目指す新興企業ラピダス株式会社は、2027年の2ナノメートル（nm）世代半導体量産化を目標に、官民連携による大規模な開発プロジェクトを推進しています。経済産業省による追加支援の決定や、北海道千歳市での試作ライン稼働など...
装置構成部材 FOUPとロードポート〜ウェハ搬送システムの構成と規格
FOUPとロードポート〜ウェハ搬送システムの構成と規格半導体製造における歩留まりと生産効率を左右する重要な要素のひとつが、ウェハ搬送システムの信頼性である。その中核を担うのがFOUP（Front Opening Unified Pod）とロ...
装置構成部材 真空ポンプ〜ドライポンプ・ターボ分子ポンプの種類と選び方
真空ポンプ〜ドライポンプ・ターボ分子ポンプの種類と選び方半導体製造プロセスにおいて、真空環境の形成は不可欠な要素である。CVD（化学気相成長）、PVD（物理気相成長）、エッチング、イオン注入など、主要なプロセス装置はいずれも高度な真空環境を...
装置構成部材 Oリング・ガスケット〜真空シール材の材質選定と交換管理
Oリング・ガスケット〜真空シール材の材質選定と交換管理半導体製造装置において、真空環境の維持は製品品質を左右する最重要課題のひとつです。プロセスチャンバーや搬送系ラインでわずかなリークが発生するだけで、パーティクル汚染・酸化・膜質劣化といっ...
装置構成部材 半導体製造装置の金属加工部品〜アルミ・SUS・チタンの使い分けと表面処理
半導体製造装置は、真空環境・腐食性ガス・高温プロセスといった極めて過酷な条件下で動作します。そのため、装置を構成する金属加工部品の材質選定は、装置の性能・寿命・歩留まりに直結する重要な設計判断です。アルミニウム合金（Al）・ステンレス鋼（S...